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GLOBALFOUNDRIES :7nm FinFET技術で業界トップクラスの性能

同社は究極のプロセス開発力を必要とする最先端プロセスのロードマップを発表しました。

2016年9月15日、カリフォルニア州サンタクララ – GLOBALFOUNDRIESは、コンピューティング・アプリケーションの次の時代に向けて、最高の性能を発揮する最先端テクノロジーの7nm FinFET半導体テクノロジーを提供する計画を発表しました。この技術は、データセンター、ネットワーキング、プレミアム・モバイル・プロセッサ、および深層学習などのアプリケーションにより高い処理能力を提供します。

GLOBALFOUNDRIESの新しい7nm FinFET技術は、今日の16/14nm Foundry FinFET製品と比較して2倍以上のゲート集積度と30%の性能向上を実現することが期待できます。このプラットフォームは業界標準のFinFETトランジスタ・アーキテクチャと光リソグラフィに基づいており、EUVも主要レベルで互換性があります。このアプローチは現在ニューヨーク州サラトガ郡のFab 8キャンパスで量産されている同社の14nm FinFET技術からのツールおよびプロセスの大幅な再利用が可能で生産立ち上げを加速することができます。GLOBALFOUNDRIESは、7nmのFinFETの開発と生産を可能にするために、Fab 8にさらに10億ドルの投資を行う予定です。

GLOBALFOUNDRIESのサンジャイ・ジャハ最高経営責任者(CEO)は、「業界は次の長寿命プロセスノードとして7nmのFinFETに収束する傾向にあり、これは、当社が最先端で競争するためのユニークな機会であることを表しています。当社は、高性能チップの長年の製造経験、かつてのIBMマイクロエレクトロニクスからの人材とそのノウハウ、および当社の世界最高水準のR&Dのパイプラインなどを活用することによって差別化された7nmのFinFETテクノロジーを提供するための非常によいポジションにいます。これまで高性能チップを製造してきた我々の遺産に匹敵できるファウンダリーは他にはありません」と述べました。

「GLOBALFOUNDRIESは、14nmから7nmへ直接ジャンプするという大胆な決定を下しました。この決定は、10nmのプロセス・ノードは高コストのわりに限界的な性能アップと消費電力低減しか見込めないため、いくつかの有力な半導体会社によっても支持されています。」TIRIASリサーチ創設者で主要アナリストのJim McGregor氏は、「28nmと16/14nmのプロセス・ノードと同様に、7nmは、少なくとも今後10年間、半導体産業全体に広く活用される次の主要なプロセス・ノードであると思われます」と述べています。

「GLOBALFOUNDRIES 7nm FinFETのような先導的な最先端技術は、次世代の高い計算やグラフィック処理を必要とする製品の長期的なロードマップを提供する重要な要素です。今後も、高性能、低電力の7nm技術を展開するためにGLOBALFOUNDRIESは14nmで築いている強固な実行能力と技術基盤を拡張していくことが期待でき、我々も今後GLOBALFOUNDRIESとの緊密な連携を続けていくことを期待しています」とAMDのLisa Su氏は述べました。

「IBMリサーチは、7nm技術以降の共同研究を加速させる新しいアイデア、新しいスキル、および新しい技術を開発するために、GLOBALFOUNDRIESと協力し続けていきます」と、IBMリサーチの上級副社長兼ディレクターであるArvind Krishna氏は述べています。

GLOBALFOUNDRIESは、プロセス開発の最適化を図りながら包括的で競争力のあるIPライブラリを提供します。お客様に7nm FinFET技術の採用を加速していただくために14LPPおよびFDX™プロセスで戦略的パートナーシップを組んできたINVECASとの契約を拡大し、7nmプロセスでのIP開発を進めます。これにより、お客様の必要とする性能、パワー、および面積のご要求に応え早期に設計を開始するための確固たる基盤を築くことができます。

「INVECASは、GLOBALFOUNDRIESのお客様のために最先端のFinFETおよびFDXプロセスにおいて他に追随を許さないIPソリューション、ASIC、およびデザイン・サービスを提供してまいります。GLOBALFOUNDRIESとの戦略的提携と、GLOBALFOUNDRIESのプロセスのために最適設計されたIPを組み合わせることにより、これから7nmプロセスをお使いになるお客様の最先端アプリケーションでの厳しい性能要件を満たすことができます」と、Dasaradha Gude CEO、INVECASは述べています。

GLOBALFOUNDRIESの7nm FinFET技術は、14LPPテクノロジー・プラットフォームの成功を基盤に、ハイエンドのモバイルSoCからクラウド・サーバやネットワークインフラ向けのプロセッサまで、超高性能を要求する次世代コンピューティング・アプリケーションを可能にするものです。同社はモバイル・コンピューティングや5Gから人工知能、自動運転まで、次世代のインターネットにつながるインテリジェント機器の超低消費電力の要求に対応するために22FDXTM、12FDXTM技術も用意しています。

GLOBALFOUNDRIESの7nmFinFET技術は、特定用途向け集積回路(ASIC)の提供を含む、様々なIntellectual Property(IP)のフルプラットホームによってサポートされています。先行開発をご希望されるお客様のIPを含むテスト・チップは、すでにFab 8で流れています。7nmプロセスは2017年後半にお客様で設計が開始できるように準備を進めており、2018年前半にはリスク生産がスタートする予定です。

GLOBALFOUNDRIESについて

GLOBALFOUNDRIESは、真にグローバルなフットプリントを有する世界初のフルサービス半導体ファウンドリーです。2009年3月に発足した同社は、世界最大級のファウンドリーとして、250社以上顧客に独自の先端技術とモノづくりを提供し、急速に規模を拡大しています。GLOBALFOUNDRIESは、シンガポール、ドイツ、アメリカで事業を展開しており、3大陸に跨る操業で柔軟性とセキュリティを提供しているファウンドリーです。同社の300mmファブと200mmファブで普及帯から最先端までの幅広いプロセスに対応しています。この世界的な製造拠点は、アメリカ、欧州、アジアの半導体事業の拠点近くに位置する研究所、開発施設、デザイン施設によって支えられています。
GLOBALFOUNDRIESは、Mubadala Development Companyによって所有されています。詳細については、http://www.globalfoundries.comをご覧ください。

INVECASについて

INVECASは、ディープ・サブミクロン・テクノロジーで対応すべき様々なチャレンジに対処するために設立された会社です。INVECASは、高速アナログIP、基本IP、ASIC設計、および組み込みソフトウェアのノウハウをすべて社内に集約し、高速な計算を必要とするアプリケーション、通信、モバイル、自動車、および組み込み市場のための完全なASICソリューションを提供しています。INVECASはまた、さまざまな市場セグメントのパワー、パフォーマンス、およびエリアの目標を達成するために主要なEDAツールベンダーとともに、AnalogおよびDigitalのための社内アドバンスドCADフローおよび設計方法論の開発に投資しています。INVECASは、ASICソリューションを、米国VTのサンタクララ、カリフォルニア州バーリントン、およびインドのベンガルル、ハイデラバードにあるオフィスを通じて提供しています。詳細については、http://www.invecas.comをご覧ください。

ソース: GLOBALFOUNDRIES

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